典型電路

      1、電路1

      說明：

      GND-IN　　為電源接口的負極

      GND　　　 為內部電路的公共地

      原理分析

      正向接：

      VCC-IN通過R1、R2、MOS體二極管，最后回到GND-IN;然后GS電壓升高，緊接著SD溝道形成；溝道電阻很小，將MOS體二極管短路。

      反向接：

      MOS體二極管截至

      2、電路2

      說明：

      GND-A-24V　　為電源接口的負極

      GND-A　　　 為內部電路的公共地

      原理分析

      正向接：

      VCC-IN通過R1、R2 ，最后回到GND-IN;然后GS電壓升高，緊接著SD溝道形成，GND-A-24V便接在了GND-A上。

      反向接：

      雖然 MOS體二極管這時正向接，但是由于GND-A上端接的是我們的電路，電路的上端是VCC-A-24V-IN，所以還是無法通過；事實上GND-A-24V根本接不進我們的電路以形成回路。

      二、優(yōu)缺點

      1、優(yōu)點

      由于正向接導通時，MOS管Ron很小，壓降非常小，基本保證了GND和GND-IN等電位。

      而串聯(lián)二極管會有一定的壓降。

      2、缺點

      電路復雜，價格也高。

延申閱讀：簡單易懂的PMOS管放倒灌電路

      如下電路圖所示，此種應用，由PMOS來進行電壓的選擇，當VIO9V電壓存在時，此時電壓全部由VIO9V提供，將PMOS關閉，VBAT4.2V不提供電壓給VBAT_OUT。而當VIO9V為低時，VBAT_OUT由VBAT4.2V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟。D1和D2的作用在于防止電壓的倒灌，D2可以省略。這里要注意到實際上該電路的DS接反，這樣由體二極管導通導致了開關管的功能不能達到，實際應用要注意。

      下圖這個電路，控制信號G_CTRL控制VB4.2+是否給VCC_OUT供電。此電路中，源漏兩端沒有接反，R2與R3存在的意義在于R2控制柵極電流不至于過大，R3控制柵極的常態(tài)，將R3上拉為高，截止PMOS。同時也可以看作是對控制信號的上拉，當MCU內部管腳并沒有上拉時，即輸出為開漏時，并不能驅動PMOS關閉，此時，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R3起到了兩個作用。R2可以更小，到100歐姆也可。

      如下放倒灌電路，也可以使用Pmos實現(xiàn)電路的防反接保護功能。當電源接反時,從而使得PMOS不導通，后級電路斷開。電路如下圖，加入穩(wěn)壓管是為了更好的保護MOS管，這里保護過程和NMOS管差不多。

      MOS管防倒灌電路設計如下圖所示:在某些應用中,如電池充電電路中, B點是充電器接口, C點是電池接口，為了防止充電器拔掉時,電池電壓出現(xiàn)在充電接口。

      (Q1、Q2、Q3共同組成防倒灌電路)注意Q3的DS反向接于電路,這樣做是防止MOS的體=極管對電路產生的影響(如果Q3按常規(guī)方式接在電路中, C點接電源則會在B點出現(xiàn)電壓)

      電源自動切換

      MOS管防倒灌電路