MOS管防倒灌電路,防反接電路優(yōu)缺點(diǎn)

2024/7/10 10:19:46??????點(diǎn)擊:

典型電路

      1、電路1


      說明:

      GND-IN  為電源接口的負(fù)極

      GND    為內(nèi)部電路的公共地

      原理分析

      正向接:

      VCC-IN通過R1、R2、MOS體二極管,最后回到GND-IN;然后GS電壓升高,緊接著SD溝道形成;溝道電阻很小,將MOS體二極管短路。

      反向接:

      MOS體二極管截至


      2、電路2

      說明:

      GND-A-24V  為電源接口的負(fù)極

      GND-A    為內(nèi)部電路的公共地


      原理分析

      正向接:

      VCC-IN通過R1、R2 ,最后回到GND-IN;然后GS電壓升高,緊接著SD溝道形成,GND-A-24V便接在了GND-A上。

      反向接:

      雖然 MOS體二極管這時(shí)正向接,但是由于GND-A上端接的是我們的電路,電路的上端是VCC-A-24V-IN,所以還是無法通過;事實(shí)上GND-A-24V根本接不進(jìn)我們的電路以形成回路。


      二、優(yōu)缺點(diǎn)

      1、優(yōu)點(diǎn)

      由于正向接導(dǎo)通時(shí),MOS管Ron很小,壓降非常小,基本保證了GND和GND-IN等電位。

      而串聯(lián)二極管會(huì)有一定的壓降。

      2、缺點(diǎn)

      電路復(fù)雜,價(jià)格也高。

延申閱讀簡(jiǎn)單易懂的PMOS管放倒灌電路


      如下電路圖所示,此種應(yīng)用,由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇,當(dāng)VIO9V電壓存在時(shí),此時(shí)電壓全部由VIO9V提供,將PMOS關(guān)閉,VBAT4.2V不提供電壓給VBAT_OUT。而當(dāng)VIO9V為低時(shí),VBAT_OUT由VBAT4.2V供電。注意R120的接地,該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低,確保PMOS的正常開啟。D1和D2的作用在于防止電壓的倒灌,D2可以省略。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反,這樣由體二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達(dá)到,實(shí)際應(yīng)用要注意。

      下圖這個(gè)電路,控制信號(hào)G_CTRL控制VB4.2+是否給VCC_OUT供電。此電路中,源漏兩端沒有接反,R2與R3存在的意義在于R2控制柵極電流不至于過大,R3控制柵極的常態(tài),將R3上拉為高,截止PMOS。同時(shí)也可以看作是對(duì)控制信號(hào)的上拉,當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時(shí),即輸出為開漏時(shí),并不能驅(qū)動(dòng)PMOS關(guān)閉,此時(shí),就需要外部電壓給予的上拉,所以電阻R3起到了兩個(gè)作用。R2可以更小,到100歐姆也可。

      如下放倒灌電路,也可以使用Pmos實(shí)現(xiàn)電路的防反接保護(hù)功能。當(dāng)電源接反時(shí),從而使得PMOS不導(dǎo)通,后級(jí)電路斷開。電路如下圖,加入穩(wěn)壓管是為了更好的保護(hù)MOS管,這里保護(hù)過程和NMOS管差不多。

      MOS管防倒灌電路設(shè)計(jì)如下圖所示:在某些應(yīng)用中,如電池充電電路中, B點(diǎn)是充電器接口, C點(diǎn)是電池接口,為了防止充電器拔掉時(shí),電池電壓出現(xiàn)在充電接口。

      (Q1、Q2、Q3共同組成防倒灌電路)注意Q3的DS反向接于電路,這樣做是防止MOS的體=極管對(duì)電路產(chǎn)生的影響(如果Q3按常規(guī)方式接在電路中, C點(diǎn)接電源則會(huì)在B點(diǎn)出現(xiàn)電壓)

      電源自動(dòng)切換

      MOS管防倒灌電路